肖特基二极管的基本原理是： 在金属（例如铅） 和半导体（N 型硅片） 的接触面上， 用已形成的肖特基来阻挡反向电压。 肖特基与 PN 结的整流作用原理有根本性的差异。 其耐压程度只有 40V 左右。 其特长是： 开关速度非常快： 反向恢复时间特别地短。 因此， 能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)： 它是具有肖特基特性的“金属半导体结” 的二极管。 其正
2025年05月16日
肖特基二极管的基本原理是： 在金属（例如铅） 和半导体（N 型硅片） 的接触面上， 用已形成的肖特基来阻挡反向电压。 肖特基与 PN 结的整流作用原理有根本性的差异。 其耐压程度只有 40V 左右。 其特长是： 开关速度非常快： 反向恢复时间特别地短。 因此， 能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)： 它是具有肖特基特性的“金属半导体结” 的二极管。 其正